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第一章 MOS晶体管原理与特性

§1.1 MOS晶体管一般介绍

一、MOS场效应管晶体管的结构及工作原理

二、MOS晶体管的四种类型

三、MOS场效晶体管的特点



§1.2 MOS 晶体管的物理基础

一、理想MOS系统在外场作用下的硅表面

二、表面势及空间电荷区的电荷

三、MOS电容

四、实际MOS系统的硅表面

五、MOS器件的阈值电压



§1.3 MOS晶体管的输出特性

一、 MOS晶体管输出的特性的定性讨论

二、MOS晶体管电流-电压特性方程


§1.4 MOS晶体管的主要参数

一、直流参数

二、低频小信号参数

三、MOS晶体管的最高频率



§1.5 MOS晶体管的最高频率

一、导电因子随温度的变化

二、阈值电压温度的变化


§1.6 MOS晶体管图形设计举例


第二章 MOS倒相器和门电路

§2.1 电阻负载MOS倒相器

一、工作原理

二、负载线与工作点

三、不同负载对倒相器性能的影响



§2.2 E/E MOS倒相器

一、工作原理

二、静态特性分析

三、瞬态响应

四、MOS倒相器设计举例


§2.3 E/DMOS倒相器

一、工作原理

二、静态分析

三、瞬态分析



§2.4 CMOS倒相器

一、CMOS倒相器原理

二、直流传输特性和噪声容限

三、瞬态响应

四、功耗讨论


§2.5 MOS门电路与传输门

一、单沟道MOS门电路

二、CMOS门电路

三、MOS传输门



第三章 触发器和其它逻辑部件

§3.1 MOS触发器

一、R-S触发器

二、J-K触发器

三、D触发器



§3.2 MOS加法器

一、MOS半加器

二、MOS全加器


§3.3 MOS译码器

一、三变量译码器

二、八段译码器


§3.4 MOS移位寄存器

一、静态移位寄存器

二、动态移位寄存器


第四章 大规模集成电路

§4.1 MOS存贮器

一、随机存取存贮器(RAM)

二、只读存贮器(ROM)


§4.2 电荷耦合器件(CCD)

一、CCD结构及工作原理

二、CCD基本参数及结构改进

三、CCD应用概述



第五章 MOS集成电路设计与布图

§5.1 PMOS集成电路版图设计

一、PMOS电路器件设计

二、版图设计


§5.2 CMOS集成电路设计

一、CMOS电路器件设计

二、CMOS版图设计概要

三、CMOS阈值电压的设计



§5.3 超大规模集成电路设计的基本原理简介

一、概述

二、按比例缩小设计原理


第六章 MOS工艺

§6.1 MOS常规工艺

一、PMOS工艺

二、NMOS工艺


§6.2 硅栅工艺

一、主要优点

二、P沟道硅栅工艺

三、等平面硅栅N沟MOS工艺



§6.3 离子注入技术在MOS工艺中的应用

一、离子注入法调整MOS器件的VT

二、离子注入实现栅自对准


§6.4 双层栅工艺

一、MNOS工艺

二、MAOS工艺


§6.5 CMOS工艺

一、基本CMOS工艺叙述

二、离子注入法制造CMOS电路

三、SOS技术制造CMOS电路



§6.6 E/D MOS工艺

一、离子注入法制造E/DMOS

二、Sio2-AI2O3双层栅E/DMOS

三、双扩散法制造E/DMOS



§6.7 VMOS工艺

一、结构与特点

二、VMOS的主要工艺过程


§6.8 生产中电路参数的监测方法